IGLD60R190D1SAUMA1
| Номер детали производителя | IGLD60R190D1SAUMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | GAN HV PG-LSON-8 |
| Упаковка | PG-LSON-8-1 |
| В наличии | 21375 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 3000 |
|---|
| $1.524 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 21375 Infineon Technologies IGLD60R190D1SAUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
| Vgs (макс.) | -10V |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-LSON-8-1 |
| Серии | CoolGaN™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 62.5W (Tc) |
| Упаковка / | 8-LDFN Exposed Pad |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
AON6542
MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFNAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
IRL1404LPBF
MOSFET N-CH 40V 160A TO262Infineon Technologies -
IGLR60R340D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGLD60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8Infineon Technologies -
NVMFS6H818NT1G
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFNonsemi -
IGLD60R190D1AUMA3
GAN HVInfineon Technologies -
JANTX2N6901
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO205AFMicrosemi Corporation -
ZXM64P035GTA
MOSFET P-CH 35V 3.8A/5.3A SOT223Diodes Incorporated -
IGLD60R190D1AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8Infineon Technologies -
NVMFS5C430NWFET1G
T6-40V N 1.7 MOHMS SLonsemi -
IGLR60R190D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
YJS4435A-F2-0000HF
P-CH MOSFET 30V 10A SOP-8Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd -
SCT040HU65G3AG
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESTMicroelectronics -
SSM5H90ATU,LF
MOSFET N-CH 20V 2.4A UFVToshiba Semiconductor and Storage -
IGLD60R070D1AUMA3
GANFET N-CHInfineon Technologies -
IXTM35N30
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AEIXYS -
DI110N03PQ-AQ
MOSFET, POWERQFN 5X6, 30V, 110A,Diotec Semiconductor -
FDMS7650
MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFNonsemi -
NTB75N03L09G
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAKonsemi -
IGLR60R260D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies