IGLD60R190D1AUMA3
| Номер детали производителя | IGLD60R190D1AUMA3 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | GAN HV |
| Упаковка | PG-LSON-8-1 |
| В наличии | 14204 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $5.236 | $4.813 | $4.065 | $3.616 | $3.317 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 14204 Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
| Vgs (макс.) | -10V |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-LSON-8-1 |
| Серии | CoolGaN™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 62.5W (Tc) |
| Упаковка / | 8-LDFN Exposed Pad |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
BUK9Y1R9-40H,115
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORNexperia USA Inc. -
IGLD60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8Infineon Technologies -
NVMFS6B14NT1G
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FLonsemi -
NVMJS1D7N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAKonsemi -
FDMC7672S-F126
MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLPonsemi -
BUK725R0-40C,118
MOSFET N-CH 40V 75A DPAKNexperia USA Inc. -
IGLR60R340D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGLD60R190D1SAUMA1
GAN HV PG-LSON-8Infineon Technologies -
IGLR60R260D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGLR60R190D1XUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGLD60R070D1AUMA3
GANFET N-CHInfineon Technologies -
STL8N6LF3
MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLATSTMicroelectronics -
TSM052N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFNTaiwan Semiconductor Corporation -
IPW60R070C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3Infineon Technologies -
AOD518
MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252Alpha & Omega Semiconductor Inc. -
STP10NK50Z
MOSFET N-CH 500V 9A TO220ABSTMicroelectronics -
PJF60R290E_T0_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MOPanjit International Inc. -
FDB42AN15A0
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263ABonsemi -
IGLD60R190D1AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8Infineon Technologies -
2SJ632-M-TD-E
2SJ632 - P-CHANNEL SILICON MOSFEonsemi