Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies

BSC750N10NDGATMA1

Номер детали производителя BSC750N10NDGATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Упаковка PG-TDSON-8-4
В наличии 5104 pcs
Техническая спецификация BSC750N10ND GPart Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Devices EOL 08/May/2019
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5104 Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 12µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-4
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 13A, 10V
Мощность - Макс 26W
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 720pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.2A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта BSC750N10

Рекомендуемые продукты

BSC750N10NDGATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для BSC750N10NDGATMA1

Связанные детали для BSC750N10NDGATMA1