Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies

BSC670N25NSFDATMA1

Номер детали производителя BSC670N25NSFDATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Упаковка PG-TDSON-8-1
В наличии 50598 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$1.407 $1.262 $1.034 $0.88 $0.743 $0.705
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 50598 Infineon Technologies BSC670N25NSFDATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-1
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 24A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2410 pF @ 125 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 24A (Tc)
Базовый номер продукта BSC670

Рекомендуемые продукты

BSC670N25NSFDATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация