Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > NXH80T120L3Q0S3G
onsemi

NXH80T120L3Q0S3G

Номер детали производителя NXH80T120L3Q0S3G
производитель onsemi
Подробное описание PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Упаковка 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
В наличии 1497 pcs
Техническая спецификация Postponed Qualification 27/Dec/2022Multi Dev 29/Sep/2022NXH80T120L3Q0S3G/S3TG, NXH80T120L3Q0P3G
Справочная цена (В долларах США)
1 24 96
$32.211 $29.796 $27.582
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 1497 onsemi NXH80T120L3Q0S3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.4V @ 15V, 80A
Поставщик Упаковка устройства 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Серии -
Мощность - Макс 188 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора Yes
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 18.15 nF @ 20 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 300 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 75 A
конфигурация Half Bridge

Рекомендуемые продукты

NXH80T120L3Q0S3G DataSheet PDF

Техническая спецификация