Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > NXH450B100H4Q2F2PG
onsemi

NXH450B100H4Q2F2PG

Номер детали производителя NXH450B100H4Q2F2PG
производитель onsemi
Подробное описание 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
Упаковка 56-PIM (93x47)
В наличии 502 pcs
Техническая спецификация Wafer Fab Change 27/Dec/2022NXH450B100H4Q2F2, NXH450B100H4Q2F2PG-R
Справочная цена (В долларах США)
1 12 36
$86.457 $82.803 $80.977
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 502 onsemi NXH450B100H4Q2F2PG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1000 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.25V @ 15V, 150A
Поставщик Упаковка устройства 56-PIM (93x47)
Серии -
Мощность - Макс 234 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
NTC термистора Yes
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 9.342 nF @ 20 V
вход Standard
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 600 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 101 A
конфигурация 2 Independent

Рекомендуемые продукты

NXH450B100H4Q2F2PG DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NXH450B100H4Q2F2PG

Связанные детали для NXH450B100H4Q2F2PG