Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > NXH50C120L2C2ES1G
onsemi

NXH50C120L2C2ES1G

Номер детали производителя NXH50C120L2C2ES1G
производитель onsemi
Подробное описание IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Упаковка 26-DIP
В наличии 1062 pcs
Техническая спецификация onsemi REACHonsemi RoHSNXHxxC120x/NXH50M01x/Jun/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100
$42.31 $40.127 $36.306
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 1062 onsemi NXH50C120L2C2ES1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1200 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Поставщик Упаковка устройства 26-DIP
Серии -
Мощность - Макс 20 mW
Упаковка / 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Упаковка Tube
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC термистора Yes
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Cies) @ Vce 11.89 nF @ 20 V
вход Three Phase Bridge Rectifier
Тип IGBT -
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 250 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 50 A
конфигурация Three Phase Inverter with Brake
Базовый номер продукта NXH50

Рекомендуемые продукты

NXH50C120L2C2ES1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NXH50C120L2C2ES1G

Связанные детали для NXH50C120L2C2ES1G