Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > NXH800A100L4Q2F2S1G
onsemi

NXH800A100L4Q2F2S1G

Номер детали производителя NXH800A100L4Q2F2S1G
производитель onsemi
Подробное описание MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
Упаковка 51-PIM/Q2PACK (93x47)
В наличии 734 pcs
Техническая спецификация NXH800A100L4Q2F2S1G/P1G, NXH800A100L4Q2F2S2G/P2G
Справочная цена (В долларах США)
1 10 36
$47.715 $45.456 $44.489
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 734 onsemi NXH800A100L4Q2F2S1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 1000 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2.3V @ 15V, 400A
Поставщик Упаковка устройства 51-PIM/Q2PACK (93x47)
Серии -
Мощность - Макс 714 W
Упаковка / Module
Упаковка Tray
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC термистора Yes
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce 49.7 nF @ 20 V
вход Standard
Тип IGBT Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 20 µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 309 A
конфигурация Three Level Inverter
Базовый номер продукта NXH800

Рекомендуемые продукты

NXH800A100L4Q2F2S1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NXH800A100L4Q2F2S1G

Связанные детали для NXH800A100L4Q2F2S1G