Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > MUN5131T1
MUN5131T1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MUN5131T1

Номер детали производителя MUN5131T1
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Упаковка SC-70-3 (SOT323)
В наличии 6305 pcs
Техническая спецификация MUN, SMUN, NSVMUN51xxT1 SeriesMultiple Devices 30/Jun/2006onsemi RoHS
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6305 onsemi MUN5131T1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SC-70-3 (SOT323)
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 2.2 kOhms
Резистор - основание (R1) 2.2 kOhms
Мощность - Макс 202 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-70, SOT-323
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта MUN5131

Рекомендуемые продукты

MUN5131T1 DataSheet PDF

Техническая спецификация