Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MUN5113DW1T1G

Номер детали производителя	MUN5113DW1T1G
производитель	onsemi
Подробное описание	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Упаковка	SC-88/SC70-6/SOT-363
В наличии	1722387 pcs
Техническая спецификация	Copper Wire 08/Jun/2009 Mult Dev Assembly 30/Jul/2020 onsemi REACH onsemi RoHS MUN5113DW1, NSBA144EDxx

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.098	$0.08	$0.043	$0.028	$0.019

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 1722387 onsemi MUN5113DW1T1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Тип транзистор	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства	SC-88/SC70-6/SOT-363
Серии	Automotive, AEC-Q101
Резистор - основание эмиттера (R2)	47kOhm
Резистор - основание (R1)	47kOhm
Мощность - Макс	187mW

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка /	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Тип установки	Surface Mount
Частота - Переход	-
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Базовый номер продукта	MUN51