Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > MUN5113T3G
MUN5113T3G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MUN5113T3G

Номер детали производителя MUN5113T3G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Упаковка SC-70-3 (SOT323)
В наличии 4567 pcs
Техническая спецификация Copper Wire 29/Oct/2009Mult Dev EOL 08/Jul/2021onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev 05/Dec/2019MUNx113, MMUN2113L, DTA144Exx, NSBA144EF3
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 4567 onsemi MUN5113T3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SC-70-3 (SOT323)
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 47 kOhms
Мощность - Макс 202 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-70, SOT-323
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта MUN5113

Рекомендуемые продукты

MUN5113T3G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MUN5113T3G

Связанные детали для MUN5113T3G