Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - одинокий, предварительно сэтапный > MUN5116T1G
MUN5116T1G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MUN5116T1G

Номер детали производителя MUN5116T1G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Упаковка SC-70-3 (SOT323)
В наличии 5744054 pcs
Техническая спецификация onsemi RoHSMult Dev 05/Dec/2019MUN(2,5)116, MMUN2116L, DTA143Txx
Справочная цена (В долларах США)
15000 30000 75000 150000
$0.01 $0.009 $0.008 $0.006
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 5744054 onsemi MUN5116T1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства SC-70-3 (SOT323)
Серии -
Резистор - основание (R1) 4.7 kOhms
Мощность - Макс 202 mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SC-70, SOT-323
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
Базовый номер продукта MUN5116

Рекомендуемые продукты

MUN5116T1G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для MUN5116T1G

Связанные детали для MUN5116T1G