Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

MUN5112DW1T1G

Номер детали производителя	MUN5112DW1T1G
производитель	onsemi
Подробное описание	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Упаковка	SC-88/SC70-6/SOT-363
В наличии	1355798 pcs
Техническая спецификация	Mult Trans Wire Qual 19/Dec/2017 Multiple Devices 30/Jun/2006 onsemi REACH onsemi RoHS Mult Dev Reinstate 18/Oct/2012 MUN5112DW1, NSBA124EDxx

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.151	$0.122	$0.065	$0.043	$0.029

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 1355798 onsemi MUN5112DW1T1G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Тип транзистор	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства	SC-88/SC70-6/SOT-363
Серии	-
Резистор - основание эмиттера (R2)	22kOhms
Резистор - основание (R1)	22kOhms
Мощность - Макс	250mW

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка /	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Тип установки	Surface Mount
Частота - Переход	-
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 5mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Базовый номер продукта	MUN5112