Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIZF916DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZF916DT-T1-GE3

Номер детали производителя SIZF916DT-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH DUAL 30V
Упаковка 8-PowerPair® (6x5)
В наличии 123326 pcs
Техническая спецификация SIZF916DT
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.652 $0.582 $0.454 $0.375 $0.296
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 123326 Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-PowerPair® (6x5)
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Мощность - Макс 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Упаковка / 8-PowerWDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 23A (Ta), 40A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SIZF916

Рекомендуемые продукты

SIZF916DT-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIZF916DT-T1-GE3

Связанные детали для SIZF916DT-T1-GE3