Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIZ926DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ926DT-T1-GE3

Номер детали производителя SIZ926DT-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Упаковка 8-PowerPair® (6x5)
В наличии 189283 pcs
Техническая спецификация SIZ926DT
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.477 $0.425 $0.331 $0.274 $0.216
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 189283 Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-PowerPair® (6x5)
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Мощность - Макс 20.2W, 40W
Упаковка / 8-PowerWDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Tc), 60A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SIZ926

Рекомендуемые продукты

SIZ926DT-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIZ926DT-T1-GE3

Связанные детали для SIZ926DT-T1-GE3