Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIZ920DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ920DT-T1-GE3

Номер детали производителя SIZ920DT-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
Упаковка 8-PowerPair® (6x5)
В наличии 3867 pcs
Техническая спецификация Mult Devices 15/Sep/2017Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014SIZ920DT
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 3867 Vishay Siliconix SIZ920DT-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-PowerPair® (6x5)
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Мощность - Макс 39W, 100W
Упаковка / 8-PowerWDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1260pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 35nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта SIZ920

Рекомендуемые продукты

SIZ920DT-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация