Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIZ710DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ710DT-T1-GE3

Номер детали производителя SIZ710DT-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
Упаковка 6-PowerPair™
В наличии 138969 pcs
Техническая спецификация Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014SiZ710DT
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.532 $0.476 $0.371 $0.306 $0.242
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 138969 Vishay Siliconix SIZ710DT-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-PowerPair™
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 19A, 10V
Мощность - Макс 27W, 48W
Упаковка / 6-PowerPair™
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 820pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 16A, 35A
конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Базовый номер продукта SIZ710

Рекомендуемые продукты

SIZ710DT-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация