Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIR798DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR798DP-T1-GE3

Номер детали производителя SIR798DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 5534 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 14/Mar/2018SIR798DP
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5534 Vishay Siliconix SIR798DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.05Ohm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 83W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5050 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Schottky Diode (Body)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Базовый номер продукта SIR798

Рекомендуемые продукты

SIR798DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация