Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIR838DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR838DP-T1-GE3

Номер детали производителя SIR838DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 4031 pcs
Техническая спецификация SIL-0632014 16/Apr/2014Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014SIR838DP
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4031 Vishay Siliconix SIR838DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 8.3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2075 pF @ 75 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)
Базовый номер продукта SIR838

Рекомендуемые продукты

SIR838DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIR838DP-T1-GE3

Связанные детали для SIR838DP-T1-GE3