SIR814DP-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIR814DP-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Упаковка | PowerPAK® SO-8 |
| В наличии | 3899 pcs |
| Техническая спецификация | PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013SIR814DP-T1-GE3 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 3899 Vishay Siliconix SIR814DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3800 pF @ 20 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIR814 |
Рекомендуемые продукты
-
SIR804DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR800ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAKVishay Siliconix -
SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAKVishay Siliconix -
SIR840DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAKVishay Siliconix -
SIR818DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAKVishay Siliconix -
SIR812DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR788DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR836DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR808DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR820DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR800DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR798DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR838DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR826DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR802DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8Vishay Siliconix