Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIR664DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR664DP-T1-GE3

Номер детали производителя SIR664DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 173890 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIR664DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.429 $0.384 $0.299 $0.247 $0.195
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 173890 Vishay Siliconix SIR664DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Свойства продукта Значение атрибута
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1750 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Базовый номер продукта SIR664

Рекомендуемые продукты

SIR664DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация