SIR606DP-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIR606DP-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 |
| Упаковка | PowerPAK® SO-8 |
| В наличии | 145334 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIR606DP |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.631 | $0.564 | $0.439 | $0.363 | $0.287 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 145334 Vishay Siliconix SIR606DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 15A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 44.5W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1360 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 6 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 37A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIR606 |
Рекомендуемые продукты
-
SIR578DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR580DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIR582DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR5808DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR584DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR616DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR626ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAKVishay Siliconix -
SIR624DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAKVishay Siliconix -
SIR618DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAKVishay Siliconix -
SIR586DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR588DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR624DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR622DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAKVishay Siliconix -
SIR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAKVishay Siliconix -
SIR626DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR576DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix