SIR608DP-T1-RE3
Номер детали производителя | SIR608DP-T1-RE3 |
---|---|
производитель | Vishay Siliconix |
Подробное описание | MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK |
Упаковка | PowerPAK® SO-8 |
В наличии | 133649 pcs |
Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SiR608DP |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.654 | $0.588 | $0.473 | $0.388 | $0.322 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 133649 Vishay Siliconix SIR608DP-T1-RE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Vgs (макс.) | +20V, -16V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 |
Серии | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® SO-8 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 8900 pF @ 20 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 45 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 51A (Ta), 208A (Tc) |
Базовый номер продукта | SIR608 |
Рекомендуемые продукты
-
SIR624DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAKVishay Siliconix -
SIR626DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR588DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR580DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIR626ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAKVishay Siliconix -
SIR618DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR584DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR5808DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR622DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 12.6A PPAKVishay Siliconix -
SIR624DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR582DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR606DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAKVishay Siliconix -
SIR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAKVishay Siliconix -
SIR616DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR586DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIR578DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8Vishay Siliconix