Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIR5708DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR5708DP-T1-RE3

Номер детали производителя SIR5708DP-T1-RE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 164018 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIR5708DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.6 $0.535 $0.417 $0.345 $0.272
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 164018 Vishay Siliconix SIR5708DP-T1-RE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 975 pF @ 75 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIR5708DP-T1-RE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...