Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIJH800E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJH800E-T1-GE3

Номер детали производителя SIJH800E-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Упаковка PowerPAK® 8 x 8
В наличии 44494 pcs
Техническая спецификация SIJH800E
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.774 $1.594 $1.306 $1.112 $0.937
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 44494 Vishay Siliconix SIJH800E-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 8 x 8
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 8 x 8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 10230 pF @ 40 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 210 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 29A (Ta), 299A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIJH800E-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIJH800E-T1-GE3

Связанные детали для SIJH800E-T1-GE3