Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIJA22DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJA22DP-T1-GE3

Номер детали производителя SIJA22DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 147964 pcs
Техническая спецификация Mult Dev 10/Mar/2023SIJA22DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.489 $0.436 $0.34 $0.281 $0.222
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 147964 Vishay Siliconix SIJA22DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.74mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6500 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 125 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 64A (Ta), 201A (Tc)
Базовый номер продукта SIJA22

Рекомендуемые продукты

SIJA22DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация