SIJH112E-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIJH112E-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK |
| Упаковка | PowerPAK® 8 x 8 |
| В наличии | 46732 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.688 | $1.515 | $1.242 | $1.057 | $0.891 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 46732 Vishay Siliconix SIJH112E-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 8 x 8 |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.3W (Ta), 333W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 8050 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 23A (Ta), 225A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIJH112 |
Рекомендуемые продукты
-
SIJ494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIJ800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIJA58DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIJA72ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAKVishay Siliconix -
SIJH600E-T1-GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIJA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAKVishay Siliconix -
SIJ482DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIJA52DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIJA58ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAKVishay Siliconix -
SIJ470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIJA52ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAKVishay Siliconix -
SIJH440E-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8Vishay Siliconix -
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIJH5800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIJ484DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIJA54ADP-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SIJA54DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
SIJH800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIJH5700E-T1-GE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIJA22DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAKVishay Siliconix