Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIJ186DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ186DP-T1-GE3

Номер детали производителя SIJ186DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Упаковка PowerPAK® SO-8
В наличии 236300 pcs
Техническая спецификация Mult Dev 10/Mar/2023SIJ186DP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.439 $0.394 $0.307 $0.254 $0.2
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 236300 Vishay Siliconix SIJ186DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 5W (Ta), 57W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SO-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1710 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Базовый номер продукта SIJ186

Рекомендуемые продукты

SIJ186DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация