Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHB6N80AE-GE3
Vishay Siliconix

SIHB6N80AE-GE3

Номер детали производителя SIHB6N80AE-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 91509 pcs
Техническая спецификация SIHB6N80AE
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.856 $0.77 $0.619 $0.508 $0.421 $0.392 $0.378 $0.365
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 91509 Vishay Siliconix SIHB6N80AE-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии E
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 62.5W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 422 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 22.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIHB6N80AE-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHB6N80AE-GE3

Связанные детали для SIHB6N80AE-GE3