Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHB24N80AE-GE3
Vishay Siliconix

SIHB24N80AE-GE3

Номер детали производителя SIHB24N80AE-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 58319 pcs
Техническая спецификация E Series Power MOSFET
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.377 $1.235 $1.012 $0.862 $0.727 $0.69 $0.664
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 58319 Vishay Siliconix SIHB24N80AE-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 184mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 208W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1836 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 89 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 21A (Tc)
Базовый номер продукта SIHB24

Рекомендуемые продукты

SIHB24N80AE-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHB24N80AE-GE3

Связанные детали для SIHB24N80AE-GE3