SIHB33N60E-GE3
| Номер детали производителя | SIHB33N60E-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
| Упаковка | D²PAK (TO-263) |
| В наличии | 37340 pcs |
| Техническая спецификация | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014SiHB33N60E |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.368 | $2.126 | $1.742 | $1.483 | $1.251 | $1.188 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 37340 Vishay Siliconix SIHB33N60E-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263) |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 278W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3508 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 33A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIHB33 |
Рекомендуемые продукты
-
SIHB35N60E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32A D2PAKVishay Siliconix -
SIHB28N60EF-T5-GE3
N-CHANNEL 600VVishay Siliconix -
SIHB30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAKVishay Siliconix -
SIHB28N60EF-T1-GE3
N-CHANNEL 600VVishay Siliconix -
SIHB30N60ET1-GE3
N-CHANNEL 600VVishay Siliconix -
SIHB33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAKVishay Siliconix -
SIHB33N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO263Vishay Siliconix -
SIHB33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V D2PAKInfineon Technologies -
SIHB4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAKVishay Siliconix -
SIHB6N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-Vishay Siliconix -
SIHB35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAKVishay Siliconix -
SIHB25N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 26A TO263Vishay Siliconix -
SIHB30N60ET5-GE3
N-CHANNEL 600VVishay Siliconix -
SIHB30N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAKVishay Siliconix -
SIHB28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAKVishay Siliconix -
SIHB6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAKVishay Siliconix -
SIHB6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAKVishay Siliconix -
SIHB30N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO263Vishay Siliconix -
SIHB5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-Vishay Siliconix -
SIHB33N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO263Vishay Siliconix