Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHB30N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHB30N60E-GE3

Номер детали производителя SIHB30N60E-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 38632 pcs
Техническая спецификация Additional Assembly Site 21/Oct/2016SiHB30N60E
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$2.223 $1.995 $1.635 $1.391 $1.174 $1.115
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 38632 Vishay Siliconix SIHB30N60E-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 250W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2600 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 29A (Tc)
Базовый номер продукта SIHB30

Рекомендуемые продукты

SIHB30N60E-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHB30N60E-GE3

Связанные детали для SIHB30N60E-GE3