Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

Номер детали производителя SIA918EDJ-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Упаковка PowerPAK® SC-70-6 Dual
В наличии 494407 pcs
Техническая спецификация SIA918EDJ
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.194 $0.166 $0.124 $0.097 $0.075
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 494407 Vishay Siliconix SIA918EDJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-70-6 Dual
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3A, 4.5V
Мощность - Макс 7.8W
Упаковка / PowerPAK® SC-70-6 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.5A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SIA918

Рекомендуемые продукты

SIA918EDJ-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация