Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA811ADJ-T1-GE3

Номер детали производителя SIA811ADJ-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Упаковка PowerPAK® SC-70-6 Dual
В наличии 412222 pcs
Техническая спецификация SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015SIA811ADJ
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.204 $0.175 $0.131 $0.103 $0.08
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 412222 Vishay Siliconix SIA811ADJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-70-6 Dual
Серии LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SC-70-6 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 345 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 13 nC @ 8 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика Schottky Diode (Isolated)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.5A (Tc)
Базовый номер продукта SIA811

Рекомендуемые продукты

SIA811ADJ-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация