Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA910EDJ-T1-GE3

Номер детали производителя SIA910EDJ-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
Упаковка PowerPAK® SC-70-6 Dual
В наличии 416978 pcs
Техническая спецификация Wafer Site 12/Sep/2018SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015SIA910EDJ
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.234 $0.205 $0.157 $0.124 $0.099
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 416978 Vishay Siliconix SIA910EDJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-70-6 Dual
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Мощность - Макс 7.8W
Упаковка / PowerPAK® SC-70-6 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 455pF @ 6V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 16nC @ 8V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.5A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SIA910

Рекомендуемые продукты

SIA910EDJ-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIA910EDJ-T1-GE3

Связанные детали для SIA910EDJ-T1-GE3