SIA817EDJ-T1-GE3
| Номер детали производителя | SIA817EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 |
| Упаковка | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| В наличии | 501655 pcs |
| Техническая спецификация | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015Wafer Fab Addition 22/Jun/2015SIA817EDJ |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.191 | $0.162 | $0.121 | $0.095 | $0.074 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 501655 Vishay Siliconix SIA817EDJ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±12V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Серии | LITTLE FOOT® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 600 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | Schottky Diode (Isolated) |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SIA817 |
Рекомендуемые продукты
-
SIA813DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA911EDJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6Vishay Siliconix -
SIA850DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 950MA PPAKVishay Siliconix -
SIA811DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA810DJ-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA814DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6Vishay Siliconix -
SIA778DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6Vishay Siliconix -
SIA907EDJT-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6LVishay Siliconix -
SIA907EDJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V SMDVishay Siliconix -
SIA777EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6LVishay Siliconix -
SIA907EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V SMDVishay Siliconix -
SIA810DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA911DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6Vishay Siliconix -
SIA911DJ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6Vishay Siliconix -
SIA811ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA811DJ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6Vishay Siliconix -
SIA906EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6Vishay Siliconix -
SIA537EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6LVishay Siliconix -
SIA911ADJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6Vishay Siliconix