Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI5906DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5906DU-T1-GE3

Номер детали производителя SI5906DU-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
Упаковка PowerPAK® ChipFet Dual
В наличии 4546 pcs
Техническая спецификация SI5906DUSI5906DU-T1-GE3 Device 01/Feb/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4546 Vishay Siliconix SI5906DU-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® ChipFet Dual
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4.8A, 10V
Мощность - Макс 10.4W
Упаковка / PowerPAK® ChipFET™ Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 300pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8.6nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI5906

Рекомендуемые продукты

SI5906DU-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация