Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI5853DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5853DC-T1-E3

Номер детали производителя SI5853DC-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Упаковка 1206-8 ChipFET™
В наличии 3834 pcs
Техническая спецификация Material Compliance
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 3834 Vishay Siliconix SI5853DC-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 1206-8 ChipFET™
Серии LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.1W (Ta)
Упаковка / 8-SMD, Flat Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7.7 nC @ 4.5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика Schottky Diode (Isolated)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.7A (Ta)
Базовый номер продукта SI5853

Рекомендуемые продукты

SI5853DC-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI5853DC-T1-E3

Связанные детали для SI5853DC-T1-E3