Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI5920DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5920DC-T1-E3

Номер детали производителя SI5920DC-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Упаковка 1206-8 ChipFET™
В наличии 5230 pcs
Техническая спецификация Material ComplianceSI5920DC
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5230 Vishay Siliconix SI5920DC-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 1206-8 ChipFET™
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Мощность - Макс 3.12W
Упаковка / 8-SMD, Flat Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 680pF @ 4V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 12nC @ 5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 8V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI5920

Рекомендуемые продукты

SI5920DC-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI5920DC-T1-E3

Связанные детали для SI5920DC-T1-E3