Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI5933DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5933DC-T1-GE3

Номер детали производителя SI5933DC-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Упаковка 1206-8 ChipFET™
В наличии 6003 pcs
Техническая спецификация Material ComplianceSI5933DC
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6003 Vishay Siliconix SI5933DC-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 1206-8 ChipFET™
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Мощность - Макс 1.1W
Упаковка / 8-SMD, Flat Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.7A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI5933

Рекомендуемые продукты

SI5933DC-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI5933DC-T1-GE3

Связанные детали для SI5933DC-T1-GE3