Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI5517DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5517DU-T1-GE3

Номер детали производителя SI5517DU-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Упаковка PowerPAK® ChipFet Dual
В наличии 230404 pcs
Техническая спецификация SI5517DUMult Devs Wire Change 21/Dec/2021
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.45 $0.402 $0.314 $0.259 $0.205
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 230404 Vishay Siliconix SI5517DU-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® ChipFet Dual
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Мощность - Макс 8.3W
Упаковка / PowerPAK® ChipFET™ Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 520pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 16nC @ 8V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта SI5517

Рекомендуемые продукты

SI5517DU-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI5517DU-T1-GE3

Связанные детали для SI5517DU-T1-GE3