Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI5511DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5511DC-T1-E3

Номер детали производителя SI5511DC-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Упаковка 1206-8 ChipFET™
В наличии 6422 pcs
Техническая спецификация Material ComplianceSI5511DC
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6422 Vishay Siliconix SI5511DC-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 1206-8 ChipFET™
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Мощность - Макс 3.1W, 2.6W
Упаковка / 8-SMD, Flat Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 435pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7.1nC @ 5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A, 3.6A
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта SI5511

Рекомендуемые продукты

SI5511DC-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация