Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK6Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q65W,S1Q

Номер детали производителя TK6Q65W,S1Q
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
Упаковка I-PAK
В наличии 201010 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.5 $0.447 $0.349 $0.288 $0.227 $0.212 $0.202 $0.194
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 201010 Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W,S1Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 180µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I-Pak
Серии DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 60W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 390 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.8A (Ta)
Базовый номер продукта TK6Q65

Рекомендуемые продукты

TK6Q65W,S1Q DataSheet PDF