Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TK65G10N1,RQ

Номер детали производителя	TK65G10N1,RQ
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Упаковка	D2PAK
В наличии	4230 pcs
Техническая спецификация	DK OBS NOTICE

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4230 Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1,RQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	D2PAK
Серии	U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 32.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	156W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	5400 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	65A (Ta)
Базовый номер продукта	TK65G10