Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK65E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK65E10N1,S1X

Номер детали производителя TK65E10N1,S1X
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N CH 100V 148A TO220
Упаковка TO-220
В наличии 102093 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.052 $0.946 $0.761 $0.625 $0.518 $0.482 $0.464
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 102093 Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1,S1X в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 192W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5400 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 148A (Ta)
Базовый номер продукта TK65E10

Рекомендуемые продукты

TK65E10N1,S1X DataSheet PDF