Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK6A80E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK6A80E,S4X

Номер детали производителя TK6A80E,S4X
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Упаковка TO-220SIS
В наличии 120275 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.666 $0.599 $0.482 $0.396 $0.328 $0.305 $0.294 $0.286
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 120275 Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E,S4X в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 600µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220SIS
Серии π-MOSVIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 45W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1350 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A (Ta)
Базовый номер продукта TK6A80

Рекомендуемые продукты

TK6A80E,S4X DataSheet PDF