Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK35N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TK35N65W,S1F

Номер детали производителя TK35N65W,S1F
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Упаковка TO-247
В наличии 26249 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$2.927 $2.645 $2.19 $1.907 $1.661 $1.599
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 26249 Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 2.1mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-247
Серии DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 17.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 270W (Tc)
Упаковка / TO-247-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4100 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Ta)
Базовый номер продукта TK35N65

Рекомендуемые продукты

TK35N65W,S1F DataSheet PDF