Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK35S04K3L(T6L1,NQ
TK35S04K3L(T6L1,NQ Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Номер детали производителя TK35S04K3L(T6L1,NQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Упаковка DPAK+
В наличии 162308 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod GuideH440-4L-009P 30/Jan/2015
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.53 $0.474 $0.369 $0.305 $0.241
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 162308 Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L(T6L1,NQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK+
Серии U-MOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 58W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Ta)
Базовый номер продукта TK35S04

Рекомендуемые продукты

TK35S04K3L(T6L1,NQ DataSheet PDF

Техническая спецификация