Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK31E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60X,S1X

Номер детали производителя TK31E60X,S1X
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Упаковка TO-220
В наличии 35745 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$2.271 $2.04 $1.672 $1.423 $1.2 $1.14
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 35745 Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X,S1X в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 1.5mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии DTMOSIV-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 9.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 230W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3000 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30.8A (Ta)
Базовый номер продукта TK31E60

Рекомендуемые продукты

TK31E60X,S1X DataSheet PDF