Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK31V60X,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31V60X,LQ

Номер детали производителя TK31V60X,LQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Упаковка 4-DFN-EP (8x8)
В наличии 35813 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$1.997 $1.794 $1.47 $1.251 $1.055
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 35813 Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 1.5mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-DFN-EP (8x8)
Серии DTMOSIV-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 9.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 240W (Tc)
Упаковка / 4-VSFN Exposed Pad
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3000 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30.8A (Ta)
Базовый номер продукта TK31V60

Рекомендуемые продукты

TK31V60X,LQ DataSheet PDF